https://news.mydrivers.com/1/805/805238.htm
12월 22일에 개최된 중국 집적 회로 설계 산업회의와 wuxi 집적 회로 혁신 개발 포럼해서
TSMC의 총책임자 Luo Zhenqiu에 따르면, TSMC가 무어의 법칙을 다시 끌어올릴 수 있는
기술은 계속 발전하고 있다고 하였다.
Luo Zhenqiu는 7nm 에서 3nm 까지 공정을 개선해가는 과정에서, 단위 면적당 트랜지스터가
이전 세대에 비해 최대 1.8배까지 증가하고, 성능이 각 공정 개선마다 10% 이상 증가할 것이라 말했다.
이는 동일한 성능에서 소비전력을 20% 이상 줄일 수 있는 공정 향상이다.
TSMC의 공식 데이터에서는 새로이 적용되는 3nm 공정은 이전 5nm 공정에 비해 로직 밀도를 1.7배,
성능을 11%가량 향상 시켰으며, 동일 성능에서 최대 30%의 소비전력을 줄일 수 있다고 하였다.
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